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蓝色发光二极管发明者三杰之一-中村修二博士

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中村修二,(生于1954年5月22日,爱媛县,日本),日本出生的美国材料科学家谁被授予2014年诺贝尔物理学奖在物理学的发明了蓝色发光二极管(LED)。他与日本材料科学家赤崎勇和天野浩分享了奖项。

中村修二获得了德岛大学的电子工程学士学位(1977年)和硕士学位(1979年)。1979年,他前往德岛的一家名为日亚化学的小公司工作。他最初的工作在不断增长镓 磷化物和镓砷化物 晶体 LED的。然而,这些产品的销售证明令人失望,因为日亚正在与更大的竞争对手竞争。在20世纪80年代中期,日亚决定生产完整的LED。中村修二自学了生产高质量红色和红外 LED 的必要技术,但那些也没有商业上的成功。

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中村修二认为,日亚必须开发出一种不会与其他大公司竞争的产品。那个产品将是蓝色LED。科学家已经生产出发出红光或绿光的LED,但是尝试制造蓝光LED并不成功。如果开发出来,蓝色LED可以与红色和绿色LED组合产生白光,而成本仅为白炽灯和荧光灯的一小部分。中村修二的上司注意到蓝光LED数十年来一直受到研究人员追捧,但是由于资金短缺而垂头丧气。1988年,中村修二直接去找日亚的CEO Ogawa Nobuo,要求提供超过300万美元(美元)的资金,并在佛罗里达大学获得一年的资助。盖恩斯维尔,学习金属有机化学气相沉积,以生产蓝色LED的半导体。令中村修二出人意料的是,Ogawa接受了他的要求。

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在1989年从佛罗里达州返回后,中村修二决定使用氮化镓(GaN)作为蓝光LED的材料,这主要是因为其他大多数研究人员都使用了更容易使用的硒化锌。高品质的GaN晶体很提取。此外,在LED中,当电流流过p - n结(p型和n型半导体之间的界面)时,发光,并且没有人能够产生p型GaN。中村修二在1990年解决了第一个问题,即在低温下提取GaN晶体层,然后在更高温度下生成额外的GaN层。1992年,他成功地提取为p型GaN。(同时独立工作的有Akasaki和Amano使用不同的技术开发蓝色LED。)

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停车场投光灯,泛光灯实景图

1994年,中村修二获得了德岛大学的工程博士学位。然后,他致力于使用GaN生产蓝色激光二极管。1995年他获得了成功,四年后日亚开始销售蓝色激光二极管。

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中村修二博士

中村修二离开日亚。同时日亚要求中村修二签署一份保密协议,让他不能从事LED相关工作。加州大学建议中村修二不要签名,日亚起诉他违规泄露商业秘密,中村修二在2001年抗议200亿日元(1.93亿美元)的蓝色LED特许权使用费。(在此之前,中村修二只因他的发明获得了2万日元[180美元]奖励)虽然他在2004年赢得了诉讼,但是日亚的上诉使他减少到8.4亿日元(810万美元).中村修二对此结果不满意。该诉讼影响重大,成了日本知识产权法改进的一个里程碑。